Новости электроники
Новости науки и технологии

Центр разработки и производства микроэлектроники GS Nanotech (в составе холдинга GS Group) и Петрозаводский государственный университет представили опытные образцы твердотельного накопителя (SSD) NVMe в форм-факторе U.2, созданного специально для построения высокопроизводительных систем хранения данных (СХД) на основе all-flash решений. Это первый SSD в таком форм-факторе, полностью разработанный в нашей стране и произведенный на основе NAND-памяти, корпусированной в России. На текущий момент это максимально возможный уровень локализации таких устройств в РФ. Производство реализовано на мощностях инновационного кластера «Технополис GS», расположенного в Калининградской области.

GS Nanotech и Петрозаводский государственный университет представили первый совместный продукт для СХД

Накопитель стал первым продуктом, произведенным в рамках консорциума разработчиков и производителей решений для СХД, соглашение о создании которого GS Nanotech, Петрозаводский государственный университет и «ДЕПО Электроникс» подписали в июле 2019 года в рамках выставки «ИННОПРОМ». Цель консорциума — развитие в России экосистемы разработчиков и производителей продуктов и сервисов для СХД, а также формирование рынка конкурентоспособных решений.

«Созданный нами консорциум обладает уникальными для России компетенциями в области корпусирования NAND-памяти для твердотельных накопителей — наиболее современных и производительных носителей информации для СХД. Мы с партнерами планируем развивать техническую базу и продолжим разработку продуктов для all-flash решений. Мы открыты для сотрудничества с другими участниками рынка разработки и производства СХД», — прокомментировал генеральный директор GS Nanotech Евгений Масленников.

«Разработка твердотельных накопителей в форм-факторе U.2 NVMe являлась ключевой задачей проекта, реализованного ПетрГУ и GS Nanotech в рамках ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014–2020 годы» Минобрнауки РФ. Дальнейшее развитие проекта предполагает построение высокопроизводительных решений для СХД и ЦОД на основе созданных накопителей NVMe. ПетрГУ продолжит исследования и разработки в области высокоплотных высокопроизводительных решений, предназначенных для хранения данных, и программно-аппаратных систем для обработки и анализа данных», — отметил ректор ПетрГУ, профессор Анатолий Воронин.

Технические характеристики нового продукта

Характеристики Исполнение изделия
GSPDC01TR16STF GSPDD02TR16STF
Емкость, Гбайт 960 1,920
Форм-фактор U.2 U.2
PCIe PCIe Gen3 x4, NVMe 1.3 PCIe Gen3 x4, NVMe 1.3
Ресурс, Тбайт 1,347 2,694
Скорость последовательного чтения, Мбайт/с до 3,200* до 3,200*
Скорость последовательной записи, Мбайт/с до 1,000* до 1,000*
Количество операций, случайное чтение (4K-QD32), IOPS до 360,000* до 350,000*
Количество операций, случайная запись (4K-QD32), IOPS до 30,000* до 30,000*
Рабочая температура, ºС от 0 до +70 от 0 до +70
Температура хранения, ºС от –40 до +85 от –40 до +85
Напряжение питания, В от 11.04 до 12.96 от 11.04 до 12.96
Устойчивость к вибрации, Гц до 80 при амплитуде в 1.52 мм
до 2 000 при перегрузке в 20 G
Ударостойкость, G до 1,500 в течение 0.5 мс до 1,500 в течение 0.5 мс
Устойчивость к влаге, % до 93 при +40 ºС до 93 при +40 ºС
Соответствие спецификации PCI Express Base Specification
Revision 3.1a
Да Да
Соответствие требованиям RoHS Да Да
Соответствие спецификации NVMe 1.3 Да Да
 
* Указано максимальное значение, зависит от используемой NAND Flash-памяти и емкости накопителя
 

GS Group с 2016 года реализует первый в России проект по разработке и массовому производству SSD (с англ. «solid-state drive», твердотельные накопители) — немеханических запоминающих устройств на основе микросхем памяти с управляющим контроллером. В феврале 2018 года холдинг GS Group запустил массовое производство SSD собственной разработки. Сегодня производитель предлагает целую линейку твердотельных накопителей корпоративного класса емкостью до 2 ТБ в нескольких форм-факторах. В основе SSD использованы произведенные GS Nanotech модули памяти, в составе которых — последнее поколение кристаллов NAND-памяти от ведущих мировых производителей. Весь производственный цикл — разработка и проектирование SSD, корпусирование модулей NAND-памяти, монтаж компонентов на плате, финальная сборка и упаковка изделий — реализован в инновационном кластере «Технополис GS», мощности которого позволяют выпускать более 1 млн устройств в год.

gsnanotech.ru

Материал взят с www.rlocman.ru

Акционерное общество Научно-Производственное Объединение «Развитие Инновационных Технологий»
г. Тверь, ул. Озёрная, 14 к.1, тел. +7 (4822) 32-20-01, +7 (4822) 45-25-09, факс +7 (4822) 32-23-00